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1N4706 (DO35)
产品参考图片
1N4706 (DO35)
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
二极管 - 齐纳 - 单，封装：DO-204AH，DO-35，轴向
技术参数：
DIODE ZENER 19V 500MW DO35
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点击下图下载技术文档
1N4706 (DO35)技术参数详情：
制造商产品型号：1N4706 (DO35)
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：DIODE ZENER 19V 500MW DO35
系列：二极管 - 齐纳 - 单
零件状态：有源
电压-齐纳（标称值）(Vz)：19V
容差：±5%
功率-最大值：500mW
阻抗（最大值）(Zzt)：-
不同Vr时电流-反向泄漏：50nA @ 14.4V
不同If时电压-正向(Vf)：1.1V @ 200mA
工作温度：-65°C ~ 175°C
安装类型：通孔
封装：DO-204AH，DO-35，轴向
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1N4706 (DO35)
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