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1N6108US/TR
产品参考图片
1N6108US/TR
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:B，SQ-MELF
技术参数：
TVS DIODE 9.1VWM 17.75VC SQMELF
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点击下图下载技术文档
1N6108US/TR技术参数详情：
型号:1N6108US/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:B，SQ-MELF
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 9.1VWM 17.75VC SQMELF
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:-
双向通道:1
电压 - 反向断态（典型值）:9.1V
电压 - 击穿（最小值）:10.83V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:17.75V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):28.12A
功率 - 峰值脉冲:500W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SQ-MELF，B
供应商器件封装:B，SQ-MELF
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1N6108US/TR
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