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1N6350US/TR
产品参考图片
1N6350US/TR
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:B，SQ-MELF
技术参数：
DIODE ZENER 120V 500MW SQ-MELF
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点击下图下载技术文档
1N6350US/TR技术参数详情：
型号:1N6350US/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:B，SQ-MELF
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 120V 500MW SQ-MELF
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz):120 V
容差:±5%
功率 - 最大值:500 mW
阻抗（最大值）(Zzt):600 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 91 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.4 V @ 1 A
工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SQ-MELF，B
供应商器件封装:B，SQ-MELF
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1N6350US/TR
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