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1N6369/TR
产品参考图片
1N6369/TR
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:DO-13(DO-202AA)
技术参数:
TVS DIODE 18VWM 25.5VC DO13
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点击下图下载技术文档
1N6369/TR技术参数详情:
型号:1N6369/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:DO-13(DO-202AA)
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC DO13
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:-
双向通道:1
电压 - 反向断态(典型值):18V
电压 - 击穿(最小值):21.2V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):25.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):50A
功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-202AA,DO-13,轴向
供应商器件封装:DO-13(DO-202AA)
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1N6369/TR
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