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1N825E3
产品参考图片
1N825E3
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:DO-7
技术参数：
DIODE ZENER 5.9V 500MW DO7
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点击下图下载技术文档
1N825E3技术参数详情：
型号:1N825E3
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:DO-7
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 5.9V 500MW DO7
系列:-
包装:袋
产品状态:在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz):5.9 V
容差:±5%
功率 - 最大值:500 mW
阻抗（最大值）(Zzt):15 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 3 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
工作温度:-65°C ~ 175°C
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向
供应商器件封装:DO-7
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1N825E3
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