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2N5115E3
产品参考图片
2N5115E3
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > JFET，封装:TO-18（TO-206AA）
技术参数：
JFET P-CH 30V TO18
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点击下图下载技术文档
2N5115E3技术参数详情：
型号:2N5115E3
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-18（TO-206AA）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
描述:JFET P-CH 30V TO18
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30 V
漏源电压（Vdss）:30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):15 mA @ 15 V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):3 V @ 1 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25pF @ 15V
电阻 - RDS(On):100 Ohms
功率 - 最大值:500 mW
工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18（TO-206AA）
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2N5115E3
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