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APT35GN120L2DQ2G
产品参考图片
APT35GN120L2DQ2G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:-
技术参数：
IGBT NPT FIELD STOP 1200V 94A
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点击下图下载技术文档
APT35GN120L2DQ2G技术参数详情：
型号:APT35GN120L2DQ2G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT NPT FIELD STOP 1200V 94A
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:94 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):105 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A
功率 - 最大值:379 W
开关能量:2.315mJ（关）
输入类型:标准
栅极电荷:220 nC
25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns
测试条件:800V，35A，2.2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装:-
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APT35GN120L2DQ2G
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