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APT45GR65BSCD10
产品参考图片
APT45GR65BSCD10
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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点击下图下载技术文档
APT45GR65BSCD10技术参数详情：
制造商产品型号：APT45GR65BSCD10
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：118A
电流-集电极脉冲(Icm)：224A
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A
功率-最大值：543W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：203nC
25°C时Td（开/关）值：15ns/100ns
测试条件：433V，45A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：80ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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APT45GR65BSCD10
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