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APT50GT120B2RDLG
产品参考图片
APT50GT120B2RDLG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
技术参数：
IGBT 1200V 106A 694W TO-247
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APT50GT120B2RDLG技术参数详情：
制造商产品型号：APT50GT120B2RDLG
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：IGBT 1200V 106A 694W TO-247
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：Thunderbolt IGBT
零件状态：有源
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：106A
电流-集电极脉冲(Icm)：150A
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.7V @ 15V，50A
功率-最大值：694W
开关能量：3585J（开），1910J（关）
输入类型：标准
栅极电荷：240nC
25°C时Td（开/关）值：23ns/215ns
测试条件：800V，50A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3 变式
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APT50GT120B2RDLG
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