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APT6017LLLG
产品参考图片
APT6017LLLG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
单端场效应管，TO-264
技术参数：
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
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APT6017LLLG技术参数详情：
Microsemi美高森美完整型号：APT6017LLLG
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
系列：POWER MOS 7
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 25V
功率 - 最大值：500W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：TO-264 [L]
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APT6017LLLG
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