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APTC60AM83BC1G
产品参考图片
APTC60AM83BC1G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
技术参数：
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
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点击下图下载技术文档
APTC60AM83BC1G技术参数详情：
制造商产品型号：APTC60AM83BC1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：CoolMOS
零件状态：停产
FET类型：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
FET功能：超级结
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：36A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：83 毫欧 @ 24.5A、 10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 3mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：250nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V
功率-最大值：250W
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：SP1
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APTC60AM83BC1G
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