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APTC90DAM60T1G
产品参考图片
APTC90DAM60T1G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SP1
技术参数：
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
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点击下图下载技术文档
APTC90DAM60T1G技术参数详情：
制造商产品型号：APTC90DAM60T1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：MOSFET N-CH 900V 59A SP1
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：CoolMOS
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：900V
25°C时电流-连续漏极(Id)：59A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 52A、 10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 6mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：540nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：13600pF @ 100V
FET功能：超级结
功率耗散（最大值）：462W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
器件封装：SP1
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APTC90DAM60T1G
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