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APTC90SKM60CT1G
产品参考图片
APTC90SKM60CT1G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SP1
技术参数：
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
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点击下图下载技术文档
APTC90SKM60CT1G技术参数详情：
型号:APTC90SKM60CT1G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP1
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1
包装:散装
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 52A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:540 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:462W（Tc）
工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
供应商器件封装:SP1
封装/外壳:SP1
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APTC90SKM60CT1G
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