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APTGL90DSK120T3G
产品参考图片
APTGL90DSK120T3G
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块,封装:SP3
技术参数:
IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
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点击下图下载技术文档
APTGL90DSK120T3G技术参数详情:
型号:APTGL90DSK120T3G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:双路降压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):110 A
功率 - 最大值:385 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.25V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250 A
不同Vce 时输入电容 (Cies):4.4 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
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APTGL90DSK120T3G
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