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APTGT35A120D1G
产品参考图片
APTGT35A120D1G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - IGBT - 模块，封装：D1
技术参数：
IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
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点击下图下载技术文档
APTGT35A120D1G技术参数详情：
制造商产品型号：APTGT35A120D1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
系列：晶体管 - IGBT - 模块
零件状态：停产
IGBT类型：沟槽型场截止
配置：半桥
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：55A
功率-最大值：205W
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，35A
电流-集电极截止（最大值）：5mA
不同Vce时输入电容(Cies)：2.5nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
工作温度：-
安装类型：底座安装
封装：D1
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APTGT35A120D1G
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