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APTGX900A120TDP3EG
产品参考图片
APTGX900A120TDP3EG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:-
技术参数：
IGBT MODULE 1200V 900A 3.26KW
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点击下图下载技术文档
APTGX900A120TDP3EG技术参数详情：
型号:APTGX900A120TDP3EG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 900A 3.26KW
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
IGBT 类型:-
配置:半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:900 A
功率 - 最大值:3260 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，900A
电流 - 集电极截止（最大值）:200 A
不同Vce 时输入电容 (Cies):120000 pF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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APTGX900A120TDP3EG
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