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APTM100DA33T1G
产品参考图片
APTM100DA33T1G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SP1
技术参数：
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
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点击下图下载技术文档
APTM100DA33T1G技术参数详情：
制造商产品型号：APTM100DA33T1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：1000V
25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：396 毫欧 @ 18A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：305nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7868pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：390W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
器件封装：SP1
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APTM100DA33T1G
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