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APTM100DA40T1G
产品参考图片
APTM100DA40T1G
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SP1
技术参数:
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
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点击下图下载技术文档
APTM100DA40T1G技术参数详情:
制造商产品型号:APTM100DA40T1G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1000V
25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):480 毫欧 @ 16A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):260nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6800pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):357W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
器件封装:SP1
现在可以订购
APTM100DA40T1G
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