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APTM10DHM09TG
产品参考图片
APTM10DHM09TG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP4
技术参数：
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
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点击下图下载技术文档
APTM10DHM09TG技术参数详情：
制造商产品型号：APTM10DHM09TG
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：139A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 69.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：350nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V
功率-最大值：390W
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：SP4
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APTM10DHM09TG
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