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APTM10DSKM19T3G
  • 制造厂商:Microchip(微芯科技)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP3
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:APTM10DSKM19T3G
  • 制造商:Microchip Technology(微芯科技)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):70A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):21 毫欧 @ 35A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):200nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5100pF @ 25V
  • 功率-最大值:208W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SP3
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