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APTM120H29FG
产品参考图片
APTM120H29FG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:SP6
技术参数：
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
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点击下图下载技术文档
APTM120H29FG技术参数详情：
型号:APTM120H29FG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
包装:散装
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:4 N 沟道（全桥）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:374nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10300pF @ 25V
功率 - 最大值:780W
工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
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APTM120H29FG
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