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产品参考图片

APTM120UM70DAG 图片

APTM120UM70DAG

制造厂商：Microchip（微芯科技）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SP6
技术参数：MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
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APTM120UM70DAG技术参数详情：

型号:APTM120UM70DAG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):171A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 85.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 30mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1650 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:43500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:5000W（Tc）
工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
供应商器件封装:SP6
封装/外壳:SP6
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