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APTM50DDAM65T3G
产品参考图片
APTM50DDAM65T3G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
场效应管模块，SP3
技术参数：
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
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点击下图下载技术文档
APTM50DDAM65T3G技术参数详情：
Microsemi美高森美完整型号：APTM50DDAM65T3G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：51A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：78 毫欧 @ 25.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7000pF @ 25V
功率 - 最大值：390W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP3
供应商器件封装：SP3
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APTM50DDAM65T3G
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