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APTMC120AM16CD3AG
产品参考图片
APTMC120AM16CD3AG
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
场效应管模块,D3
技术参数:
MODULE SIC DIODE 1200V 98A D3
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点击下图下载技术文档
APTMC120AM16CD3AG技术参数详情:
Microsemi美高森美完整型号:APTMC120AM16CD3AG
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MODULE SIC DIODE 1200V 98A D3
系列:-
FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):131A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 100A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 5mA(标准)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):246nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4750pF @ 1000V
功率 - 最大值:625W
安装类型:底座安装
封装/外壳:D3
供应商器件封装:D3
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APTMC120AM16CD3AG
,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。
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