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DN2625DK6-G
产品参考图片
DN2625DK6-G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-DFN（5x5）
技术参数：
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN
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点击下图下载技术文档
DN2625DK6-G技术参数详情：
型号:DN2625DK6-G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:8-DFN（5x5）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN
系列:-
包装:托盘
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:2 N-通道（双）
FET 功能:耗尽模式
漏源电压（Vdss）:250V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.04nC @ 1.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000pF @ 25V
功率 - 最大值:-
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-VDFN 焊盘
供应商器件封装:8-DFN（5x5）
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DN2625DK6-G
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