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DN3545N8-G
产品参考图片
DN3545N8-G
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-243AA(SOT-89)
技术参数:
MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
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点击下图下载技术文档
DN3545N8-G技术参数详情:
型号:DN3545N8-G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-243AA(SOT-89)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 沟道,耗尽型
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 欧姆 @ 150mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):360 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-243AA(SOT-89)
封装/外壳:TO-243AA
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DN3545N8-G
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