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JAN1N5529CUR-1/TR

制造厂商：Microchip（微芯科技）
类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:DO-213AA
技术参数：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA
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JAN1N5529CUR-1/TR技术参数详情：

型号:JAN1N5529CUR-1/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:DO-213AA
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz):9.1 V
容差:±2%
功率 - 最大值:500 mW
阻抗（最大值）(Zzt):45 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
工作温度:-65°C ~ 175°C
等级:军用
资质:MIL-PRF-19500/437
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:DO-213AA
供应商器件封装:DO-213AA
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