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JAN1N5557/TR
产品参考图片
JAN1N5557/TR
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:DO-13（DO-202AA）
技术参数：
TVS DIODE 49VWM 78.5VC DO13
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点击下图下载技术文档
JAN1N5557/TR技术参数详情：
型号:JAN1N5557/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:DO-13（DO-202AA）
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 49VWM 78.5VC DO13
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向断态（典型值）:49V
电压 - 击穿（最小值）:54V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:78.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):19A
功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-65°C ~ 175°C
等级:军用
资质:MIL-PRF-19500/500
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-202AA，DO-13，轴向
供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）
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JAN1N5557/TR
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