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产品参考图片

JAN1N6122US

制造厂商：Microchip（微芯科技）

类别封装：TVS - 二极管，封装：SQ-MELF，B

技术参数：TVS DIODE 35.8V 67.83V B SQ-MELF

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技术参数详情：

制造商产品型号：JAN1N6122US

制造商：Microchip Technology（微芯科技）

描述：TVS DIODE 35.8V 67.83V B SQ-MELF

系列：TVS - 二极管

产品系列：Military, MIL-PRF-19500/516

零件状态：有源

类型：齐纳

单向通道：-

双向通道：1

电压-反向断态（典型值）：35.8V

电压-击穿（最小值）：32.47V

不同Ipp时电压-箝位（最大值）：67.83V

电流-峰值脉冲(10/1000μs)：7.32A

功率-峰值脉冲：500W

电源线路保护：无

应用：通用

不同频率时电容：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SQ-MELF，B

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