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JAN1N6629US
产品参考图片
JAN1N6629US
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
二极管 - 整流器 - 单,封装:E-MELF
技术参数:
DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
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点击下图下载技术文档
JAN1N6629US技术参数详情:
制造商产品型号:JAN1N6629US
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
系列:二极管 - 整流器 - 单
产品系列:Military, MIL-PRF-19500/590
零件状态:有源
二极管类型:标准
电压-DC反向(Vr)(最大值):880V
电流-平均整流(Io):1.4A
不同If时电压-正向(Vf):1.4V @ 1.4A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr):50ns
不同Vr时电流-反向泄漏:2A @ 880V
不同Vr、F时电容:40pF @ 10V,1MHz
安装类型:表面贴装型
封装:E-MELF
供应商器件封装:D-5B
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JAN1N6629US
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