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JAN2N6796
产品参考图片
JAN2N6796
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-39
技术参数：
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
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点击下图下载技术文档
JAN2N6796技术参数详情：
制造商产品型号：JAN2N6796
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：MOSFET N-CH 100V 8A TO39
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：Military, MIL-PRF-19500/557
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：195 毫欧 @ 8A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28.51nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
FET功能：-
功率耗散（最大值）：800mW（Ta），25W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-39
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JAN2N6796
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