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LND150N3-G-P013
产品参考图片
LND150N3-G-P013
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-92-3
技术参数：
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
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LND150N3-G-P013技术参数详情：
型号:LND150N3-G-P013
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-92-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
系列:-
包装:带盒（TB）
产品状态:在售
FET 类型:N 沟道，耗尽型
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1000 欧姆 @ 500A，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:740mW（Ta）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-92-3
封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
现在可以订购
LND150N3-G-P013
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