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LP1030DK1-G
产品参考图片
LP1030DK1-G
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:SOT-23-5
技术参数：
MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
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点击下图下载技术文档
LP1030DK1-G技术参数详情：
型号:LP1030DK1-G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SOT-23-5
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:2 个 P 沟道（双）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:300V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10.8pF @ 25V
功率 - 最大值:-
工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A，SOT-753
供应商器件封装:SOT-23-5
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LP1030DK1-G
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