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MASMLJ33AE3
产品参考图片
MASMLJ33AE3
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:DO-214AB
技术参数：
TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AB
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点击下图下载技术文档
MASMLJ33AE3技术参数详情：
型号:MASMLJ33AE3
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:DO-214AB
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AB
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向断态（典型值）:33V
电压 - 击穿（最小值）:36.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:53.3V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):56.2A
功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
等级:军用
资质:MIL-PRF-19500
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:DO-214AB，SMC
供应商器件封装:DO-214AB
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MASMLJ33AE3
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