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MPLAD18KP11AE3/TR

制造厂商：Microchip（微芯科技）
类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:PLAD
技术参数：TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD
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MPLAD18KP11AE3/TR技术参数详情：

型号:MPLAD18KP11AE3/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:PLAD
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向断态（典型值）:11V
电压 - 击穿（最小值）:12.2V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:18.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):989A
功率 - 峰值脉冲:18000W（18kW）
电源线路保护:无
应用:-
不同频率时电容:-
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:军用
资质:MIL-PRF-19500
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:非标准型 SMD
供应商器件封装:PLAD
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