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产品参考图片

MSC030SMB120SDT/R 图片

MSC030SMB120SDT/R

制造厂商：Microchip（微芯科技）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263-7
技术参数：MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-263
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MSC030SMB120SDT/R技术参数详情：

型号:MSC030SMB120SDT/R
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-263-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-263
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):69A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 18 V
Vgs（最大值）:18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2201 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:310W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263-7
封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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