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MSC060SMB120SDT/R
产品参考图片
MSC060SMB120SDT/R
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263-7
技术参数:
MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-263
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MSC060SMB120SDT/R技术参数详情:
型号:MSC060SMB120SDT/R
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-263-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-263
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):80 毫欧 @ 8A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):45 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+21V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1143 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):192W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263-7
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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MSC060SMB120SDT/R
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