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MSC360SMA120SCT/R
产品参考图片
MSC360SMA120SCT/R
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:16-PSMT
技术参数:
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM PSMT
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点击下图下载技术文档
MSC360SMA120SCT/R技术参数详情:
型号:MSC360SMA120SCT/R
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:16-PSMT
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM PSMT
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 5A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.14V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):21 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+23V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):255 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):71W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:16-PSMT
封装/外壳:16-PowerSOP 模块
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MSC360SMA120SCT/R
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