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MSCM20XM10T3XG
产品参考图片
MSCM20XM10T3XG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:SP3X
技术参数：
MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X
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MSCM20XM10T3XG技术参数详情：
型号:MSCM20XM10T3XG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP3X
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 81A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:161nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10700pF @ 50V
功率 - 最大值:341W（Tc）
工作温度:-40°C ~ 125°C（Tc）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:SP3X
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MSCM20XM10T3XG
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