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产品参考图片

MSCSM120AM31T1AG 图片

MSCSM120AM31T1AG

制造厂商：Microchip（微芯科技）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
技术参数：MOSFET 2N-CH 1200V 89A
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MSCSM120AM31T1AG技术参数详情：

型号:MSCSM120AM31T1AG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 1200V 89A
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
技术:碳化硅（SiC）
配置:2 N 沟道（相角）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):89A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:232nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3020pF @ 1000V
功率 - 最大值:395W（Tc）
工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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