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MSCSM120HM083AG
产品参考图片
MSCSM120HM083AG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
技术参数：
MOSFET 4N-CH 1200V 251A
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点击下图下载技术文档
MSCSM120HM083AG技术参数详情：
型号:MSCSM120HM083AG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 4N-CH 1200V 251A
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
技术:碳化硅（SiC）
配置:4 N 沟道（全桥）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):251A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 9mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:696nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000pF @ 1000V
功率 - 最大值:1042W（Tc）
工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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MSCSM120HM083AG
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