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MSCSM120HRM08NG
产品参考图片
MSCSM120HRM08NG
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:-
技术参数:
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
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点击下图下载技术文档
MSCSM120HRM08NG技术参数详情:
型号:MSCSM120HRM08NG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
技术:碳化硅(SiC)
配置:4 个 N 通道(三级反相器)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV),700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):317A(Tc),227A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.8 毫欧 @ 160A,20V,9.5 毫欧 @ 80A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 12mA,2.4V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):928nC @ 20V,430nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):12100pF @ 1000V,9000pF @ 700V
功率 - 最大值:1253W(Tc),613W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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MSCSM120HRM08NG
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