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MSCSM120SKM31CTBL1NG
产品参考图片
MSCSM120SKM31CTBL1NG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:-
技术参数：
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
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点击下图下载技术文档
MSCSM120SKM31CTBL1NG技术参数详情：
型号:MSCSM120SKM31CTBL1NG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):79A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:232 nC @ 20 V
Vgs（最大值）:+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3020 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:310W
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
供应商器件封装:-
封装/外壳:模块
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MSCSM120SKM31CTBL1NG
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