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MSCSM120X10CTYZBNMG
产品参考图片
MSCSM120X10CTYZBNMG
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
技术参数：
MOSFET 6N-CH 1200V 28A
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点击下图下载技术文档
MSCSM120X10CTYZBNMG技术参数详情：
型号:MSCSM120X10CTYZBNMG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 6N-CH 1200V 28A
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
技术:碳化硅（SiC）
配置:6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc），49A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 15A，20V，50 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA，2.7V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64nC @ 20V，137nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:838pF @ 1000V，1990pF @ 1000V
功率 - 最大值:116W（Tc），196W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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MSCSM120X10CTYZBNMG
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