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MSMCJ30AE3
产品参考图片
MSMCJ30AE3
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:DO-214AB(SMCJ)
技术参数:
TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AB
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点击下图下载技术文档
MSMCJ30AE3技术参数详情:
型号:MSMCJ30AE3
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:DO-214AB(SMCJ)
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AB
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向断态(典型值):30V
电压 - 击穿(最小值):33.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):48.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):31A
功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
等级:军用
资质:MIL-PRF-19500
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:DO-214AB,SMC
供应商器件封装:DO-214AB(SMCJ)
现在可以订购
MSMCJ30AE3
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