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MUPTB8/TR
产品参考图片
MUPTB8/TR
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:Powermite 1(DO216-AA)
技术参数:
TVS DIODE 8VWM 13.7VC POWERMITE1
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点击下图下载技术文档
MUPTB8/TR技术参数详情:
型号:MUPTB8/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:Powermite 1(DO216-AA)
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 8VWM 13.7VC POWERMITE1
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:-
双向通道:1
电压 - 反向断态(典型值):8V
电压 - 击穿(最小值):9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):13.7V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):10.9A
功率 - 峰值脉冲:150W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:DO-216AA
供应商器件封装:Powermite 1(DO216-AA)
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MUPTB8/TR
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