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MV1N8165US/TR
产品参考图片
MV1N8165US/TR
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:A,SQ-MELF
技术参数:
TVS DIODE 33VWM 53.6VC A SQMELF
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点击下图下载技术文档
MV1N8165US/TR技术参数详情:
型号:MV1N8165US/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:A,SQ-MELF
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 33VWM 53.6VC A SQMELF
系列:-
包装:带
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向断态(典型值):33V
电压 - 击穿(最小值):37.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):53.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2.8A
功率 - 峰值脉冲:150W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SQ-MELF,A
供应商器件封装:A,SQ-MELF
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MV1N8165US/TR
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