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MV2N5114UB
产品参考图片
MV2N5114UB
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
分立半导体产品 > 晶体管 > JFET，封装:UB
技术参数：
JFET P-CH 30V UB
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点击下图下载技术文档
MV2N5114UB技术参数详情：
型号:MV2N5114UB
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:UB
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
描述:JFET P-CH 30V UB
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30 V
漏源电压（Vdss）:30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):30 mA @ 18 V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):5 V @ 1 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25pF @ 15V
电阻 - RDS(On):75 Ohms
功率 - 最大值:500 mW
工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
等级:军用
资质:MIL-PRF-19500
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD，无引线
供应商器件封装:UB
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MV2N5114UB
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