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MV2N5115UB/TR
产品参考图片
MV2N5115UB/TR
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > JFET,封装:UB
技术参数:
JFET P-CH 30V UB
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点击下图下载技术文档
MV2N5115UB/TR技术参数详情:
型号:MV2N5115UB/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:UB
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
描述:JFET P-CH 30V UB
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30 V
漏源电压(Vdss):30 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):15 mA @ 15 V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):3 V @ 1 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25pF @ 15V
电阻 - RDS(On):100 Ohms
功率 - 最大值:500 mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
等级:军用
资质:MIL-PRF-19500
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,无引线
供应商器件封装:UB
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MV2N5115UB/TR
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