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MXLSMBG11AE3
产品参考图片
MXLSMBG11AE3
制造厂商：
Microchip（微芯科技）
类别封装：
二极管TVS，SMBG
技术参数：
TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AA
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点击下图下载技术文档
MXLSMBG11AE3技术参数详情：
Microsemi美高森美完整型号：MXLSMBG11AE3
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
描述：TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AA
系列：军用， MIL-PRF-19500
类型：齐纳
单向通道：1
双向通道：-
电压 - 反向关态（典型值）：11V
电压 - 击穿（最小值）：12.2V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：18.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：33A
功率 - 峰值脉冲：600W
电源线路保护：无
应用：通用
不同频率时的电容：-
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DO-215AA，SMB 鸥翼型
供应商器件封装：SMBG (DO-215AA）
现在可以订购
MXLSMBG11AE3
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